Solitron Devices SD11714 1200V SiC N溝道功率MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2025-05-29 09:00:32 瀏覽:45
Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ,采用TO-257 3引腳封裝,低導(dǎo)通電阻(RDS(on))和低柵極電荷(QG),具有雪崩能力,氣密封裝,適用于高可靠性應(yīng)用。
主要參數(shù)
漏源電壓(VDS):1200V
連續(xù)漏極電流(ID):25°C時(shí)為17A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)):25°C時(shí)為160mΩ
柵極閾值電壓(VGS(th)):1.8V~3.6V
最大功耗(PD):97W
工作溫度(TJ):-55°C~+175°C
體二極管特性
正向電壓(VSD):4.25V
反向恢復(fù)時(shí)間(trr):34ns
反向恢復(fù)電荷(Qrr):197nC
應(yīng)用領(lǐng)域
開關(guān)電源
DC-DC轉(zhuǎn)換器
PFC電路
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
機(jī)器人控制
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推薦資訊
LS94和SST94是Linear Systems公司生產(chǎn)的單通道P溝道JFET開關(guān),專為超低噪聲音頻/聲學(xué)應(yīng)用設(shè)計(jì),可直接替代Toshiba 2SJ94。它們具有高跨導(dǎo)(22 mS)、高輸入阻抗(1 nA)、低電容(32 pF)和多種封裝形式(TO-92、SOT-89、裸片)。電氣特性包括柵極到漏極擊穿電壓25V、柵極到源極開啟電壓0.15V至2V、漏源飽和電流-30 μA至-2.6 mA等。這些特性使得LS94和SST94成為高增益放大應(yīng)用中的理想選擇,尤其在高輸入阻抗和低噪聲需求場(chǎng)合。
Infineon的BAR88-02V硅PIN二極管專為手持設(shè)備設(shè)計(jì),具有低正向電阻(1 mA時(shí)為1.5Ω)、低電容(0.28 pF@1 GHz)、極低信號(hào)失真和無(wú)鉛RoHS封裝。適用于無(wú)線通信(如手機(jī)、WLAN)和高速數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)(如LTE、5G),技術(shù)參數(shù)包括0.4 pF電容、單管配置、100 mA最大正向電流、0.6Ω正向電阻、80 V最大反向電壓和500 ns反向恢復(fù)時(shí)間。因其高速開關(guān)和低信號(hào)失真特性,符合綠色制造標(biāo)準(zhǔn)。
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