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Vishay SIS626DN-T1-GE3 N溝道25V MOSFET

發(fā)布時間：2024-05-16 09:31:15 瀏覽：568

　　Vishay Siliconix的SIS626DN-T1-GE3是一款N溝道25V MOSFET，它采用了TrenchFET技術(shù)，使得該MOSFET具有高效率和低導(dǎo)通電阻的特點。產(chǎn)品封裝為PowerPAK1212-8，并且適用于多種應(yīng)用，如適配器開關(guān)和負(fù)載開關(guān)，尤其是在高側(cè)開關(guān)功能中表現(xiàn)優(yōu)異。

Vishay SIS626DN-T1-GE3 N溝道25V MOSFET

　　產(chǎn)品特性方面，SIS626DN-T1-GE3在Vgs=10V時的漏源電壓(VDs)為25V，具有較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))，其值在不同Vgs條件下有所不同，例如在Vgs=10V時為0.0115Ω。此外，該MOSFET的柵極電荷(Qg Typ.)為16.9*100% Rg，柵極電流限制能力(Typ.)為16.9 A/μs，這些參數(shù)體現(xiàn)了其優(yōu)越的開關(guān)性能。

　　在絕對最大額定值方面，SIS626DN-T1-GE3在25°C下的連續(xù)漏極電流(ID)為15.1A，而在70°C下為11.7A。其脈沖漏極電流(IDM)可達(dá)32A，表明該MOSFET能夠處理較高的瞬態(tài)電流。此外，它還具有良好的熱性能，最大結(jié)到環(huán)境溫度的熱阻(RhJA)在典型和最大值下分別為28°C/W和34°C/W。

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25℃,unless otherwise noted)
PARAMETER			SYMBOL		LIMIT		UNIT
Drain-Source Voltage			VDs		25		V
Gate-Source Voltage			Vas		±12
Continuous Drain Current (Tj=150℃)	Tc=25℃		lp		169		A
	Tc=70℃				169
	TA=25℃				15.1 a,b
	TA=70*℃				11.7 a,b
Pulsed Drain Current (t =100 μs			DM		32
Continuous Source-Drain Diode Current	Tc=25 ℃		ls		169
	TA=25℃				3.1 a,b
Single Pulse Avalanche Current	L=0.1 mH		lAs		20
Single Pulse Avalanche Energy			EAS		20		mJ
Maximum Power Dissipation	Tc=25℃		PD		52		W
	Tc=70℃				33
	TA=25℃				3.7 a,b
	TA=70°℃				2.4 a,b
Operating Junction and Storage Temperature Range			T」,Tst		-55 to +150		℃
Soldering Recommendations (Peak Temperature)c,d					260

THERMAL RESISTANCE RATINGS
PARAMETER		SYMBOL		TYPICAL		MAXIMUM	UNIT
Maximum Junction-to-Ambient a,e	t≤10 s	JA		28		34	C/W
Maximum Junction-to-Case (Drain)	Steady State	C		2		2.4

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